AON3414-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AON3414-MS
此款AON3414-MS是一款采用先进DFN3X3-8L封装的N沟道MOSFET， 具有卓越的空间利用率和散热性能。 在30V的最大漏源电压(VDSS)下， 可实现高达20A的连续漏极电流(ID)， 尤其适用于需要大电流处理能力的场合。 其优异的15mΩ导通电阻， 确保了系统运行的高效低耗。 广泛应用于电源转换、电池管理系统以及其他需要高性能MOSFET的领域。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
920
货期
现货
AON3414-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 920 |
AON3414-MS概述
此款AON3414-MS是一款采用先进DFN3X3-8L封装的N沟道MOSFET， 具有卓越的空间利用率和散热性能。 在30V的最大漏源电压(VDSS)下， 可实现高达20A的连续漏极电流(ID)， 尤其适用于需要大电流处理能力的场合。 其优异的15mΩ导通电阻， 确保了系统运行的高效低耗。 广泛应用于电源转换、电池管理系统以及其他需要高性能MOSFET的领域。
AON3414-MS特性
暂无产品特性。
AON3414-MS应用领域
暂无应用领域。