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AON1606
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IC

DFN-3(0.6x1)

AON1606

场效应管(MOSFET) 900mW 20V 700mA 1个N沟道

品牌

AOS

封装

DFN-3(0.6x1)

交期

现货

批次

25+

AON1606参数

封装DFN-3(0.6x1)
品牌AOS
批次25+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))275mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))650mV
输入电容(Ciss)62.5pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存9,397
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)900mW
栅极电荷量(Qg)850pC@4.5V
反向传输电容(Crss)9pF

AON1606概述

场效应管(MOSFET) 900mW 20V 700mA 1个N沟道

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