AOK50B65M2

该IGBT模块的集电极电流（Ic）为50A， 集射极击穿电压（Vces）达650V， 适用于中高功率电力电子设备。 其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V， 在导通状态下可有效控制能量损耗。 内置二极管的正向电流（IF）同样支持50A， 正向压降（Vf）为1.45V， 表现出良好的导电性能与热稳定性。 模块设计符合标准封装规范， 便于安装和散热， 适合用于电源转换、电机控制及电力调节等多样化场景， 提供稳定高效的功率处理能力。