AOI444-VB
IC
TO-251D-3
可供量大可议
AOI444-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺， 具有较大的电压容忍度， 可提供良好的电路灵活性。 适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。 TO251； N—Channel沟道, 60V； 35A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~3.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-251D-3
库存
10
货期
现货
AOI444-VB参数
| 封装 | TO-251D-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
AOI444-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺， 具有较大的电压容忍度， 可提供良好的电路灵活性。 适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。 TO251； N—Channel沟道, 60V； 35A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~3.5V
AOI444-VB特性
暂无产品特性。
AOI444-VB应用领域
暂无应用领域。