AOD7S65
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD7S65
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高温稳定性和开关性能， 适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。 其宽栅压范围增强了驱动兼容性， 同时低导通损耗有助于提升系统整体能效。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
7
货期
现货
AOD7S65参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
AOD7S65概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高温稳定性和开关性能， 适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。 其宽栅压范围增强了驱动兼容性， 同时低导通损耗有助于提升系统整体能效。
AOD7S65特性
暂无产品特性。
AOD7S65应用领域
暂无应用领域。