AOD6N50
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD6N50
该N沟道场效应管（MOSFET）具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）为1300毫欧。 器件适用于中高电压开关场景， 能够在保证稳定导通的同时有效控制功耗。 其N沟道结构便于在正向驱动条件下实现高效开关操作， 适合用于电源管理、适配器、照明驱动及各类通用电子设备中的功率转换与控制环节。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
90
货期
现货
AOD6N50参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
AOD6N50概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）为1300毫欧。 器件适用于中高电压开关场景， 能够在保证稳定导通的同时有效控制功耗。 其N沟道结构便于在正向驱动条件下实现高效开关操作， 适合用于电源管理、适配器、照明驱动及各类通用电子设备中的功率转换与控制环节。
AOD6N50特性
暂无产品特性。
AOD6N50应用领域
暂无应用领域。