AOD66923-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD66923-HXY
AOD66923 是一款高功率N沟道MOSFET， 采用高效散热的TO-252-2L封装， 专为大电流、高压应用设计。 该器件具有高达100V的漏源电压VDSS和卓越的70A连续漏极电流ID能力， 能满足严苛的电力传输需求。 其亮点在于超低的8.2mR导通电阻RD(on)， 有效减少能量损耗， 大幅度提升系统效率。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-252-2L
Stock
134
货期
现货
AOD66923-HXYParameters
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 134 |
AOD66923-HXY概述
AOD66923 是一款高功率N沟道MOSFET， 采用高效散热的TO-252-2L封装， 专为大电流、高压应用设计。 该器件具有高达100V的漏源电压VDSS和卓越的70A连续漏极电流ID能力， 能满足严苛的电力传输需求。 其亮点在于超低的8.2mR导通电阻RD(on)， 有效减少能量损耗， 大幅度提升系统效率。
AOD66923-HXY特性
暂无产品特性。
AOD66923-HXY应用领域
暂无应用领域。