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AOD66616
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AOD66616

该N沟道场效应管最大漏极电流为130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受范围达20V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数设计旨在优化能效表现, 满足高功率密度应用对热管理与电气稳定性的严苛要求, 确保在持续高负载工况下维持可靠运行性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

AOD66616参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

AOD66616概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受范围达20V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如服务器电源模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数设计旨在优化能效表现, 满足高功率密度应用对热管理与电气稳定性的严苛要求, 确保在持续高负载工况下维持可靠运行性能。

AOD66616特性

暂无产品特性。

AOD66616应用领域

暂无应用领域。

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