AOD66406-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD66406-HXY
AOD66406 N沟道MOS管采用TO-252-2L封装， 针对大电流、高效率应用进行了优化设计。 器件支持高达40V的漏源电压VDSS， 可稳定承载60A连续漏极电流， 满足高强度电力转换需求。 其核心优势在于业界领先的7mR导通电阻RD(on)， 在保证强大电流传输的同时， 显著减少能量损耗， 提升系统效能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
2,400
货期
现货
AOD66406-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2400 |
AOD66406-HXY概述
AOD66406 N沟道MOS管采用TO-252-2L封装， 针对大电流、高效率应用进行了优化设计。 器件支持高达40V的漏源电压VDSS， 可稳定承载60A连续漏极电流， 满足高强度电力转换需求。 其核心优势在于业界领先的7mR导通电阻RD(on)， 在保证强大电流传输的同时， 显著减少能量损耗， 提升系统效能。
AOD66406-HXY特性
暂无产品特性。
AOD66406-HXY应用领域
暂无应用领域。