AOD603A-MS
IC
TO-252-4L
可供量大可议
AOD603A-MS
此款MOS管搭载1个N沟道+1个P沟道, 采用TO-252-4L封装, 他具备漏源电压(Vdss):60V, 连续漏极电流(Id):13A, 强大的性能, 被广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、LED驱动电路、移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中, 以及任何需要高效、低功耗开关解决方案的地方。
品牌
MSKSEMI
封装
TO-252-4L
库存
385
货期
现货
AOD603A-MS参数
| 封装 | TO-252-4L |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 385 |
AOD603A-MS概述
此款MOS管搭载1个N沟道+1个P沟道, 采用TO-252-4L封装, 他具备漏源电压(Vdss):60V, 连续漏极电流(Id):13A, 强大的性能, 被广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、LED驱动电路、移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中, 以及任何需要高效、低功耗开关解决方案的地方。
AOD603A-MS特性
暂无产品特性。
AOD603A-MS应用领域
暂无应用领域。
