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AOD603A-MS
IC

TO-252-4L

可供量大可议

AOD603A-MS

此款MOS管搭载1个N沟道+1个P沟道, 采用TO-252-4L封装, 他具备漏源电压(Vdss):60V, 连续漏极电流(Id):13A, 强大的性能, 被广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、LED驱动电路、移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中, 以及任何需要高效、低功耗开关解决方案的地方。

品牌

MSKSEMI

封装

TO-252-4L

库存

385

货期

现货

AOD603A-MS参数

封装TO-252-4L
品牌MSKSEMI(美森科)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存385

AOD603A-MS概述

此款MOS管搭载1个N沟道+1个P沟道, 采用TO-252-4L封装, 他具备漏源电压(Vdss):60V, 连续漏极电流(Id):13A, 强大的性能, 被广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、LED驱动电路、移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中, 以及任何需要高效、低功耗开关解决方案的地方。

AOD603A-MS特性

暂无产品特性。

AOD603A-MS应用领域

暂无应用领域。

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