AOD5N50-VB
IC
TO-252
可供量大可议
AOD5N50-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Plannar技术， 适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。 TO252； N—Channel沟道, 650V； 4.5A； RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2.5~5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
191
货期
现货
AOD5N50-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 191 |
AOD5N50-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 采用Plannar技术， 适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。 TO252； N—Channel沟道, 650V； 4.5A； RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2.5~5V
AOD5N50-VB特性
暂无产品特性。
AOD5N50-VB应用领域
暂无应用领域。