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AOD5B65M1
IC

TO-252

可供量大可议

AOD5B65M1

IGBT管/模块 1.98V@15V, 5A 650V 69W 10A

Brand

AOS

Package

TO-252

Stock

1,274

货期

现货

AOD5B65M1Parameters

封装TO-252
品牌AOS
批次21+
耗散功率(Pd)28W
集电极电流(Ic)10A
栅极阈值电压(Vge(th))5.1V@1mA
输出电容(Coes)36pF
开启延迟时间(Td(on))8.5ns
导通损耗(Eon)80uJ
反向恢复时间(Trr)195ns
分类IGBT管/模块
库存1,274
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)650V
集射极饱和电压(VCE(sat))1.98V@5A, 15V
栅极电荷量(Qg)14nC
反向传输电容(Cres)13pF
关断延迟时间(Td(off))106ns
关断损耗(Eoff)70uJ
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

AOD5B65M1概述

IGBT管/模块 1.98V@15V, 5A 650V 69W 10A

AOD5B65M1特性

暂无产品特性。

AOD5B65M1应用领域

暂无应用领域。

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