AOD536
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD536
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关特性， 在保持高电流承载能力的同时， 确保稳定可靠的运行表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
85
货期
现货
AOD536参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
AOD536概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关特性， 在保持高电流承载能力的同时， 确保稳定可靠的运行表现。
AOD536特性
暂无产品特性。
AOD536应用领域
暂无应用领域。