AOD528
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD528
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。 器件在高电流条件下表现出优异的导通性能， 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换与开关应用。 其低导通电阻有助于减少功率损耗， 提升系统整体能效， 适合用于各类高频率、大电流的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
98
货期
现货
AOD528参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
AOD528概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。 器件在高电流条件下表现出优异的导通性能， 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换与开关应用。 其低导通电阻有助于减少功率损耗， 提升系统整体能效， 适合用于各类高频率、大电流的电子电路中。
AOD528特性
暂无产品特性。
AOD528应用领域
暂无应用领域。