AOD516-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD516-HXY
AOD516 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为大电流、低阻抗应用设计。 器件提供30V的漏源电压(VDSS), 在3.8mR的超低导通电阻(RD(on))下, 可轻松承载高达100A的漏极电流(ID)。 广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等领域, 凭借其卓越的电流承载能力和出色的能效表现, 是您提升系统性能、降低能耗的理想半导体元器件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
40
货期
现货
AOD516-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
AOD516-HXY概述
AOD516 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为大电流、低阻抗应用设计。 器件提供30V的漏源电压(VDSS), 在3.8mR的超低导通电阻(RD(on))下, 可轻松承载高达100A的漏极电流(ID)。 广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等领域, 凭借其卓越的电流承载能力和出色的能效表现, 是您提升系统性能、降低能耗的理想半导体元器件。
AOD516-HXY特性
暂无产品特性。
AOD516-HXY应用领域
暂无应用领域。
