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AOD516-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AOD516-HXY

AOD516 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为大电流、低阻抗应用设计。 器件提供30V的漏源电压(VDSS), 在3.8mR的超低导通电阻(RD(on))下, 可轻松承载高达100A的漏极电流(ID)。 广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等领域, 凭借其卓越的电流承载能力和出色的能效表现, 是您提升系统性能、降低能耗的理想半导体元器件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

40

货期

现货

AOD516-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

AOD516-HXY概述

AOD516 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装, 专为大电流、低阻抗应用设计。 器件提供30V的漏源电压(VDSS), 在3.8mR的超低导通电阻(RD(on))下, 可轻松承载高达100A的漏极电流(ID)。 广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等领域, 凭借其卓越的电流承载能力和出色的能效表现, 是您提升系统性能、降低能耗的理想半导体元器件。

AOD516-HXY特性

暂无产品特性。

AOD516-HXY应用领域

暂无应用领域。

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