AOD512

该N沟道场效应管漏极电流达150安培， 漏源击穿电压30伏， 导通电阻仅1.5毫欧， 栅源电压耐受值为20伏。 器件凭借极低内阻与大电流承载能力， 适用于高密度电源转换、服务器供电模块及大功率电池管理系统。 在需要高效能切换的直流负载场景中， 其低损耗特性显著降低温升， 满足高性能计算设备对稳定供电与紧凑散热的严苛要求。