AOD492
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD492
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻有效降低导通损耗， 在大电流工作条件下有助于控制温升。 适用于高效率开关电源、电池供电设备、电机驱动电路及高功率密度的电源模块， 能够满足对能效和热管理有较高要求的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
91
货期
现货
AOD492参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 91 |
AOD492概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻有效降低导通损耗， 在大电流工作条件下有助于控制温升。 适用于高效率开关电源、电池供电设备、电机驱动电路及高功率密度的电源模块， 能够满足对能效和热管理有较高要求的应用场景。
AOD492特性
暂无产品特性。
AOD492应用领域
暂无应用领域。