AOD484-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD484-HXY
AOD484 是一款N沟道MOSFET, 采用标准TO-252-2L封装, 专为大电流应用设计。 本器件耐受最高30V的漏源电压(VDSS), 并能承载高达20A的连续漏极电流(ID), 体现出卓越的电流处理性能。 其特点在于仅有的15mΩ超低导通电阻(RD(on)), 确保在高功率运作下仍能保持高能效与低热损。 广泛应用在电源转换、大电流开关电路、电机驱动等方面, 是高端电子设备的理想半导体元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
5
货期
现货
AOD484-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
AOD484-HXY概述
AOD484 是一款N沟道MOSFET, 采用标准TO-252-2L封装, 专为大电流应用设计。 本器件耐受最高30V的漏源电压(VDSS), 并能承载高达20A的连续漏极电流(ID), 体现出卓越的电流处理性能。 其特点在于仅有的15mΩ超低导通电阻(RD(on)), 确保在高功率运作下仍能保持高能效与低热损。 广泛应用在电源转换、大电流开关电路、电机驱动等方面, 是高端电子设备的理想半导体元件。
AOD484-HXY特性
暂无产品特性。
AOD484-HXY应用领域
暂无应用领域。
