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AOD484-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AOD484-HXY

AOD484 是一款N沟道MOSFET, 采用标准TO-252-2L封装, 专为大电流应用设计。 本器件耐受最高30V的漏源电压(VDSS), 并能承载高达20A的连续漏极电流(ID), 体现出卓越的电流处理性能。 其特点在于仅有的15mΩ超低导通电阻(RD(on)), 确保在高功率运作下仍能保持高能效与低热损。 广泛应用在电源转换、大电流开关电路、电机驱动等方面, 是高端电子设备的理想半导体元件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

5

货期

现货

AOD484-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存5

AOD484-HXY概述

AOD484 是一款N沟道MOSFET, 采用标准TO-252-2L封装, 专为大电流应用设计。 本器件耐受最高30V的漏源电压(VDSS), 并能承载高达20A的连续漏极电流(ID), 体现出卓越的电流处理性能。 其特点在于仅有的15mΩ超低导通电阻(RD(on)), 确保在高功率运作下仍能保持高能效与低热损。 广泛应用在电源转换、大电流开关电路、电机驱动等方面, 是高端电子设备的理想半导体元件。

AOD484-HXY特性

暂无产品特性。

AOD484-HXY应用领域

暂无应用领域。

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