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AOD472-VB
IC

TO-252

可供量大可议

AOD472-VB

台积电流片, 长电封测。 一款单N沟道场效应管, 具有򘞟 򏟋 V的标称漏极-源极电压(VDS), ±򘞟 򏟋 V的标称栅极-源极电压(VGS), 以及򏟋 񄂹 𢺫 ~󗙻 񄂹 𢺫 V的阈值电压(Vth)。 在VGS=򘞟 񄂹 𢺫 V时, 其导通电阻(RDS(on))为𮧂 mΩ, 在VGS=󺺆 񄂹 𢺫 V时为𢺫 mΩ。 该器件最大漏极电流(ID)可达󗙻 򏟋 򏟋 A, 采用Trench技术(沟槽结构), 封装为TO򘞟 𢺫 򘞟。 该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

30

货期

现货

AOD472-VB参数

封装TO-252
品牌VBsemi/微碧半导体
批次24+
分类场效应管(MOSFET)
库存30
MOQ / SPQ5 / 1

AOD472-VB概述

台积电流片, 长电封测。 一款单N沟道场效应管, 具有򘞟 򏟋 V的标称漏极-源极电压(VDS), ±򘞟 򏟋 V的标称栅极-源极电压(VGS), 以及򏟋 񄂹 𢺫 ~󗙻 񄂹 𢺫 V的阈值电压(Vth)。 在VGS=򘞟 񄂹 𢺫 V时, 其导通电阻(RDS(on))为𮧂 mΩ, 在VGS=󺺆 񄂹 𢺫 V时为𢺫 mΩ。 该器件最大漏极电流(ID)可达󗙻 򏟋 򏟋 A, 采用Trench技术(沟槽结构), 封装为TO򘞟 𢺫 򘞟。 该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。

AOD472-VB特性

暂无产品特性。

AOD472-VB应用领域

暂无应用领域。

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