TO-252
AOD472-VB
台积电流片, 长电封测。 一款单N沟道场效应管, 具有򘞟 򏟋 V的标称漏极-源极电压(VDS), ±򘞟 򏟋 V的标称栅极-源极电压(VGS), 以及򏟋 񄂹 𢺫 ~󗙻 񄂹 𢺫 V的阈值电压(Vth)。 在VGS=򘞟 񄂹 𢺫 V时, 其导通电阻(RDS(on))为𮧂 mΩ, 在VGS=󺺆 񄂹 𢺫 V时为𢺫 mΩ。 该器件最大漏极电流(ID)可达󗙻 򏟋 򏟋 A, 采用Trench技术(沟槽结构), 封装为TO򘞟 𢺫 򘞟。 该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
30
货期
现货
AOD472-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
AOD472-VB概述
台积电流片, 长电封测。 一款单N沟道场效应管, 具有򘞟 򏟋 V的标称漏极-源极电压(VDS), ±򘞟 򏟋 V的标称栅极-源极电压(VGS), 以及򏟋 񄂹 𢺫 ~󗙻 񄂹 𢺫 V的阈值电压(Vth)。 在VGS=򘞟 񄂹 𢺫 V时, 其导通电阻(RDS(on))为𮧂 mΩ, 在VGS=󺺆 񄂹 𢺫 V时为𢺫 mΩ。 该器件最大漏极电流(ID)可达󗙻 򏟋 򏟋 A, 采用Trench技术(沟槽结构), 封装为TO򘞟 𢺫 򘞟。 该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
AOD472-VB特性
暂无产品特性。
AOD472-VB应用领域
暂无应用领域。
