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AOD444
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IC

TO-252

AOD444

场效应管(MOSFET) 2.1W; 20W 60V 4A; 12A 1个N沟道

品牌

AOS

封装

TO-252

交期

现货

批次

两年内

AOD444参数

封装TO-252
品牌AOS
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)540pF
输出电容(Coss)61pF
分类场效应管(MOSFET)
库存7,531
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)20W
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
工作温度-55℃~+175℃

AOD444概述

场效应管(MOSFET) 2.1W; 20W 60V 4A; 12A 1个N沟道

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