AOD442G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD442G-HXY
AOD442G 是一款高效的N沟道MOSFET， 采用小型化的TO-252-2L封装， 专为空间有限的设计方案而优化。 其关键性能指标包括最高承受60V的漏源电压， 能够稳定处理50A的连续电流， 尤其突出的是， 仅有15mR的低导通电阻， 确保在运行过程中能量损耗最小化， 提升系统效率。 广泛应用在电源转换、电机控制和其他高电流开关电路设计中， 展现出卓越的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
60
货期
现货
AOD442G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
AOD442G-HXY概述
AOD442G 是一款高效的N沟道MOSFET， 采用小型化的TO-252-2L封装， 专为空间有限的设计方案而优化。 其关键性能指标包括最高承受60V的漏源电压， 能够稳定处理50A的连续电流， 尤其突出的是， 仅有15mR的低导通电阻， 确保在运行过程中能量损耗最小化， 提升系统效率。 广泛应用在电源转换、电机控制和其他高电流开关电路设计中， 展现出卓越的性能表现。
AOD442G-HXY特性
暂无产品特性。
AOD442G-HXY应用领域
暂无应用领域。