AOD424G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD424G-HXY
AOD424G 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用常见的TO-252-2L封装, 适用于各种中高功率电子设备。 该器件具备20V的漏源电压(VDSS), 可承载高达80A的连续漏极电流(ID), 并在导通状态下展现卓越的低电阻特性, 仅3.5mΩ(RD(on)), 有效降低系统损耗, 提高能效。 广泛应用在电源转换、电机驱动控制、大电流开关等领域, 是提升系统性能和节能性的理想半导体元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
1
货期
现货
AOD424G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
AOD424G-HXY概述
AOD424G 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用常见的TO-252-2L封装, 适用于各种中高功率电子设备。 该器件具备20V的漏源电压(VDSS), 可承载高达80A的连续漏极电流(ID), 并在导通状态下展现卓越的低电阻特性, 仅3.5mΩ(RD(on)), 有效降低系统损耗, 提高能效。 广泛应用在电源转换、电机驱动控制、大电流开关等领域, 是提升系统性能和节能性的理想半导体元件。
AOD424G-HXY特性
暂无产品特性。
AOD424G-HXY应用领域
暂无应用领域。
