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AOD424G-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AOD424G-HXY

AOD424G 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用常见的TO-252-2L封装, 适用于各种中高功率电子设备。 该器件具备20V的漏源电压(VDSS), 可承载高达80A的连续漏极电流(ID), 并在导通状态下展现卓越的低电阻特性, 仅3.5mΩ(RD(on)), 有效降低系统损耗, 提高能效。 广泛应用在电源转换、电机驱动控制、大电流开关等领域, 是提升系统性能和节能性的理想半导体元件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

1

货期

现货

AOD424G-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

AOD424G-HXY概述

AOD424G 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用常见的TO-252-2L封装, 适用于各种中高功率电子设备。 该器件具备20V的漏源电压(VDSS), 可承载高达80A的连续漏极电流(ID), 并在导通状态下展现卓越的低电阻特性, 仅3.5mΩ(RD(on)), 有效降低系统损耗, 提高能效。 广泛应用在电源转换、电机驱动控制、大电流开关等领域, 是提升系统性能和节能性的理想半导体元件。

AOD424G-HXY特性

暂无产品特性。

AOD424G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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