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AOD4186-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AOD4186-HXY

AOD4186 N沟道MOS管采用经典TO-252-2L封装, 具备优良的散热性能和兼容性。 该器件提供高达40V的额定电压VDSS, 以及50A的连续漏极电流ID, 专为高功率应用设计。 其独特之处在于仅有11mΩ的导通电阻RD(on), 显著降低功耗并提升系统能效。 广泛适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, AOD4186 MOS管作为高性能半导体元件, 为您的设计提供强劲可靠的电流控制解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

100

货期

现货

AOD4186-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存100

AOD4186-HXY概述

AOD4186 N沟道MOS管采用经典TO-252-2L封装, 具备优良的散热性能和兼容性。 该器件提供高达40V的额定电压VDSS, 以及50A的连续漏极电流ID, 专为高功率应用设计。 其独特之处在于仅有11mΩ的导通电阻RD(on), 显著降低功耗并提升系统能效。 广泛适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, AOD4186 MOS管作为高性能半导体元件, 为您的设计提供强劲可靠的电流控制解决方案。

AOD4186-HXY特性

暂无产品特性。

AOD4186-HXY应用领域

暂无应用领域。

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