AOD4186-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD4186-HXY
AOD4186 N沟道MOS管采用经典TO-252-2L封装, 具备优良的散热性能和兼容性。 该器件提供高达40V的额定电压VDSS, 以及50A的连续漏极电流ID, 专为高功率应用设计。 其独特之处在于仅有11mΩ的导通电阻RD(on), 显著降低功耗并提升系统能效。 广泛适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, AOD4186 MOS管作为高性能半导体元件, 为您的设计提供强劲可靠的电流控制解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
100
货期
现货
AOD4186-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
AOD4186-HXY概述
AOD4186 N沟道MOS管采用经典TO-252-2L封装, 具备优良的散热性能和兼容性。 该器件提供高达40V的额定电压VDSS, 以及50A的连续漏极电流ID, 专为高功率应用设计。 其独特之处在于仅有11mΩ的导通电阻RD(on), 显著降低功耗并提升系统能效。 广泛适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, AOD4186 MOS管作为高性能半导体元件, 为您的设计提供强劲可靠的电流控制解决方案。
AOD4186-HXY特性
暂无产品特性。
AOD4186-HXY应用领域
暂无应用领域。
