AOD4185(MS)
IC
TO-252
可供量大可议
AOD4185(MS)
此款P沟道场效应管采用TO-252封装, 漏源电压(Vdss):40V, 连续漏极电流(Id):40A, RDS:10V@10A=12MR, 非常适合于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池保护电路、负载开关和各种需要高效功率控制的电子设备中
品牌
MSKSEMI
封装
TO-252
库存
2,655
货期
现货
AOD4185(MS)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2655 |
AOD4185(MS)概述
此款P沟道场效应管采用TO-252封装, 漏源电压(Vdss):40V, 连续漏极电流(Id):40A, RDS:10V@10A=12MR, 非常适合于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池保护电路、负载开关和各种需要高效功率控制的电子设备中
AOD4185(MS)特性
暂无产品特性。
AOD4185(MS)应用领域
暂无应用领域。