AOD4146
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD4146
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 在高电流应用中维持较低的温升。 适用于开关电源、电池管理系统、电动工具驱动以及各类高效能功率转换电路， 能够支持频繁开关操作并保持良好的热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
50
货期
现货
AOD4146参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
AOD4146概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 在高电流应用中维持较低的温升。 适用于开关电源、电池管理系统、电动工具驱动以及各类高效能功率转换电路， 能够支持频繁开关操作并保持良好的热稳定性。
AOD4146特性
暂无产品特性。
AOD4146应用领域
暂无应用领域。