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AOD409-MS
IC

TO-252-2

可供量大可议

AOD409-MS

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这种先进的技术经过专门设计, 可最大限度地降低导通电阻, 提供卓越的开关性能, 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。

品牌

MSKSEMI

封装

TO-252-2

库存

65

货期

现货

AOD409-MS参数

封装TO-252-2
品牌MSKSEMI(美森科)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存65

AOD409-MS概述

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这种先进的技术经过专门设计, 可最大限度地降低导通电阻, 提供卓越的开关性能, 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。

AOD409-MS特性

暂无产品特性。

AOD409-MS应用领域

暂无应用领域。

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