AOD403(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
AOD403(UMW)
特性：使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。 漏源电压（VDS）：-30V。 当栅源电压（VGS）为 -10V 时， 导通电阻（RDS(ON)）< 8mΩ。 当栅源电压（VGS）为 -20V 时， 导通电阻（RDS(ON)）< 6.2mΩ
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
1,480
货期
现货
AOD403(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1480 |
AOD403(UMW)概述
特性：使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。 漏源电压（VDS）：-30V。 当栅源电压（VGS）为 -10V 时， 导通电阻（RDS(ON)）< 8mΩ。 当栅源电压（VGS）为 -20V 时， 导通电阻（RDS(ON)）< 6.2mΩ
AOD403(UMW)特性
暂无产品特性。
AOD403(UMW)应用领域
暂无应用领域。