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AOD2922-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AOD2922-HXY

AOD2922 N沟道MOS管, 采用高效封装TO-252-2L, 专为100V高电压环境下的电源管理和电路控制设计。 该器件可承载最大漏源电压VDSS为100V, 连续漏极电流ID高达10A, 确保在高压应用中的稳定运行。 导通电阻RD(on)为140mR, 虽非超低电阻, 但在中等电流应用中仍体现出良好的性价比。 适用于开关电源、电池充放电控制、电机驱动等多种场景, 是您构建高效、可靠电路的理想组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

25

货期

现货

AOD2922-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存25

AOD2922-HXY概述

AOD2922 N沟道MOS管, 采用高效封装TO-252-2L, 专为100V高电压环境下的电源管理和电路控制设计。 该器件可承载最大漏源电压VDSS为100V, 连续漏极电流ID高达10A, 确保在高压应用中的稳定运行。 导通电阻RD(on)为140mR, 虽非超低电阻, 但在中等电流应用中仍体现出良好的性价比。 适用于开关电源、电池充放电控制、电机驱动等多种场景, 是您构建高效、可靠电路的理想组件。

AOD2922-HXY特性

暂无产品特性。

AOD2922-HXY应用领域

暂无应用领域。

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