AOD2922-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD2922-HXY
AOD2922 N沟道MOS管, 采用高效封装TO-252-2L, 专为100V高电压环境下的电源管理和电路控制设计。 该器件可承载最大漏源电压VDSS为100V, 连续漏极电流ID高达10A, 确保在高压应用中的稳定运行。 导通电阻RD(on)为140mR, 虽非超低电阻, 但在中等电流应用中仍体现出良好的性价比。 适用于开关电源、电池充放电控制、电机驱动等多种场景, 是您构建高效、可靠电路的理想组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
25
货期
现货
AOD2922-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
AOD2922-HXY概述
AOD2922 N沟道MOS管, 采用高效封装TO-252-2L, 专为100V高电压环境下的电源管理和电路控制设计。 该器件可承载最大漏源电压VDSS为100V, 连续漏极电流ID高达10A, 确保在高压应用中的稳定运行。 导通电阻RD(on)为140mR, 虽非超低电阻, 但在中等电流应用中仍体现出良好的性价比。 适用于开关电源、电池充放电控制、电机驱动等多种场景, 是您构建高效、可靠电路的理想组件。
AOD2922-HXY特性
暂无产品特性。
AOD2922-HXY应用领域
暂无应用领域。
