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AOD2910E
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AOD2910E

该N沟道场效应管额定漏极电流为40安培, 漏源击穿电压达100伏, 导通电阻典型值为20毫欧。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升系统效率并降低热设计难度。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

32

货期

现货

AOD2910E参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存32

AOD2910E概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为40安培, 漏源击穿电压达100伏, 导通电阻典型值为20毫欧。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升系统效率并降低热设计难度。

AOD2910E特性

暂无产品特性。

AOD2910E应用领域

暂无应用领域。

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