AOD2910E
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD2910E
该N沟道场效应管额定漏极电流为40安培, 漏源击穿电压达100伏, 导通电阻典型值为20毫欧。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升系统效率并降低热设计难度。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
32
货期
现货
AOD2910E参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 32 |
AOD2910E概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为40安培, 漏源击穿电压达100伏, 导通电阻典型值为20毫欧。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升系统效率并降低热设计难度。
AOD2910E特性
暂无产品特性。
AOD2910E应用领域
暂无应用领域。
