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AOD2904
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AOD2904

该N沟道场效应管最大漏极电流为70A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至8.2毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升能量传输效率并降低热管理需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

19

货期

现货

AOD2904参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存19

AOD2904概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为70A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至8.2毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升能量传输效率并降低热管理需求。

AOD2904特性

暂无产品特性。

AOD2904应用领域

暂无应用领域。

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