AOD2904
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD2904
该N沟道场效应管最大漏极电流为70A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至8.2毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升能量传输效率并降低热管理需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
AOD2904参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
AOD2904概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为70A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻低至8.2毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 能有效提升能量传输效率并降低热管理需求。
AOD2904特性
暂无产品特性。
AOD2904应用领域
暂无应用领域。
