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AOD2610E
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IC

TO-252

AOD2610E

场效应管(MOSFET) 59.5W 60V 46A 1个N沟道

品牌

AOS

封装

TO-252

交期

现货

批次

两年内

AOD2610E参数

封装TO-252
品牌AOS
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2.4V
输入电容(Ciss)1.1nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)300pF
分类场效应管(MOSFET)
库存11,874
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)59.5W
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
反向传输电容(Crss)28pF
类型N沟道

AOD2610E概述

场效应管(MOSFET) 59.5W 60V 46A 1个N沟道

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