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AOD2610E
IC

TO-252

可供量大可议

AOD2610E

场效应管(MOSFET) 59.5W 60V 46A 1个N沟道

品牌

AOS

封装

TO-252

库存

19,449

货期

现货

AOD2610E参数

封装TO-252
品牌AOS
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2.4V
输入电容(Ciss)1.1nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)300pF
分类场效应管(MOSFET)
库存19,449
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)59.5W
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
反向传输电容(Crss)28pF
类型N沟道

AOD2610E概述

场效应管(MOSFET) 59.5W 60V 46A 1个N沟道

AOD2610E特性

暂无产品特性。

AOD2610E应用领域

暂无应用领域。

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