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AOD210-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AOD210-HXY

AOD210 N沟道MOS管, 封装采用小型高效的TO-252-2L, 专为紧凑型设计和高功率应用打造。 器件具有30V的最大漏源电压(VDSS), 并支持高达150A的连续漏极电流(ID), 展现强劲电力处理能力。 尤其引人注目的是其行业领先的导通电阻仅为2mΩ(RD(on)), 有助于大幅降低系统内阻损耗, 提升整体效能。 广泛应用在开关电源、高频开关电路、电动工具驱动等场景, 是实现高效率、低功耗的理想半导体元件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

55

货期

现货

AOD210-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存55

AOD210-HXY概述

AOD210 N沟道MOS管, 封装采用小型高效的TO-252-2L, 专为紧凑型设计和高功率应用打造。 器件具有30V的最大漏源电压(VDSS), 并支持高达150A的连续漏极电流(ID), 展现强劲电力处理能力。 尤其引人注目的是其行业领先的导通电阻仅为2mΩ(RD(on)), 有助于大幅降低系统内阻损耗, 提升整体效能。 广泛应用在开关电源、高频开关电路、电动工具驱动等场景, 是实现高效率、低功耗的理想半导体元件。

AOD210-HXY特性

暂无产品特性。

AOD210-HXY应用领域

暂无应用领域。

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