AOD210-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD210-HXY
AOD210 N沟道MOS管, 封装采用小型高效的TO-252-2L, 专为紧凑型设计和高功率应用打造。 器件具有30V的最大漏源电压(VDSS), 并支持高达150A的连续漏极电流(ID), 展现强劲电力处理能力。 尤其引人注目的是其行业领先的导通电阻仅为2mΩ(RD(on)), 有助于大幅降低系统内阻损耗, 提升整体效能。 广泛应用在开关电源、高频开关电路、电动工具驱动等场景, 是实现高效率、低功耗的理想半导体元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
55
货期
现货
AOD210-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
AOD210-HXY概述
AOD210 N沟道MOS管, 封装采用小型高效的TO-252-2L, 专为紧凑型设计和高功率应用打造。 器件具有30V的最大漏源电压(VDSS), 并支持高达150A的连续漏极电流(ID), 展现强劲电力处理能力。 尤其引人注目的是其行业领先的导通电阻仅为2mΩ(RD(on)), 有助于大幅降低系统内阻损耗, 提升整体效能。 广泛应用在开关电源、高频开关电路、电动工具驱动等场景, 是实现高效率、低功耗的理想半导体元件。
AOD210-HXY特性
暂无产品特性。
AOD210-HXY应用领域
暂无应用领域。
