AOD210(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
AOD210(UMW)
特性：使用独特优化的沟槽MOSFET技术， 提供高效的高频开关性能。 由于极低的RDS(ON)和Crss组合， 功率损耗最小化。 VDS(V) = 30V。 ID = 70A (VGS = 10V)。 RDS(ON) ≤ 3mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) ≤ 3.9mΩ (VGS = 4.5V)
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
2,130
货期
现货
AOD210(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2130 |
AOD210(UMW)概述
特性：使用独特优化的沟槽MOSFET技术， 提供高效的高频开关性能。 由于极低的RDS(ON)和Crss组合， 功率损耗最小化。 VDS(V) = 30V。 ID = 70A (VGS = 10V)。 RDS(ON) ≤ 3mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) ≤ 3.9mΩ (VGS = 4.5V)
AOD210(UMW)特性
暂无产品特性。
AOD210(UMW)应用领域
暂无应用领域。