AOD208
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AOD208
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3毫欧。 其高电流承载能力与极低导通损耗特性， 使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高密度功率模块等场景。 器件在大电流工作条件下仍能保持较低温升， 有助于提升系统整体可靠性与能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
98
货期
现货
AOD208参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
AOD208概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3毫欧。 其高电流承载能力与极低导通损耗特性， 使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高密度功率模块等场景。 器件在大电流工作条件下仍能保持较低温升， 有助于提升系统整体可靠性与能效表现。
AOD208特性
暂无产品特性。
AOD208应用领域
暂无应用领域。