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AOB66935L
IC

TO-263

可供量大可议

AOB66935L

该N沟道场效应管具备260安培连续漏极电流与100伏漏源耐压, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源电压耐受值为20伏。 极低内阻显著降低大电流通路损耗, 适用于高密度电源模块、大功率电机驱动及储能系统逆变环节, 可优化热管理设计并提升整体能效表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

791

货期

现货

AOB66935L参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存791

AOB66935L概述

该N沟道场效应管具备260安培连续漏极电流与100伏漏源耐压, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源电压耐受值为20伏。 极低内阻显著降低大电流通路损耗, 适用于高密度电源模块、大功率电机驱动及储能系统逆变环节, 可优化热管理设计并提升整体能效表现。

AOB66935L特性

暂无产品特性。

AOB66935L应用领域

暂无应用领域。

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