AOB66935L
IC
TO-263
可供量大可议
AOB66935L
该N沟道场效应管具备260安培连续漏极电流与100伏漏源耐压, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源电压耐受值为20伏。 极低内阻显著降低大电流通路损耗, 适用于高密度电源模块、大功率电机驱动及储能系统逆变环节, 可优化热管理设计并提升整体能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
791
货期
现货
AOB66935L参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 791 |
AOB66935L概述
该N沟道场效应管具备260安培连续漏极电流与100伏漏源耐压, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源电压耐受值为20伏。 极低内阻显著降低大电流通路损耗, 适用于高密度电源模块、大功率电机驱动及储能系统逆变环节, 可优化热管理设计并提升整体能效表现。
AOB66935L特性
暂无产品特性。
AOB66935L应用领域
暂无应用领域。
