AOB66914L

该N沟道场效应管（MOSFET）漏源击穿电压为100V， 最大连续漏极电流达260A， 导通电阻低至2.4mΩ， 栅源电压耐受值为20V。 凭借低导通损耗与高电流承载能力， 适用于大功率直流电源、电机驱动及储能系统中的开关模块， 能有效降低系统热耗散， 满足高密度功率转换场景对效率与稳定性的严苛要求。