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AOB409L-JSM
IC

TO-263-2L

可供量大可议

AOB409L-JSM

P沟道 耐压:-60V 电流:-35A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-35A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):40mΩ@10V, 17.5A

品牌

JSMSEMI

封装

TO-263-2L

库存

84

货期

现货

AOB409L-JSM参数

封装TO-263-2L
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存84

AOB409L-JSM概述

P沟道 耐压:-60V 电流:-35A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-35A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):40mΩ@10V, 17.5A

AOB409L-JSM特性

暂无产品特性。

AOB409L-JSM应用领域

暂无应用领域。

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