AOB12N65L-VB
自营可供
IC
TO-263
AOB12N65L-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO263； N—Channel沟道； 650V； 12A； RDS(ON)=800(mΩ)@VGS=10V； VGS=±30V； Vth=3.5V； 采用Planar技术
品牌
VBsemi
封装
TO-263
交期
现货
批次
—
AOB12N65L-VB参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 商品型号 | AOB12N65L-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00272 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| 商品名称 | N沟道； 电压：650V； 电流：12A； 导通电阻：800(mΩ) |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
AOB12N65L-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO263； N—Channel沟道； 650V； 12A； RDS(ON)=800(mΩ)@VGS=10V； VGS=±30V； Vth=3.5V； 采用Planar技术