AO6706-VB
IC
TSOP-6
可供量大可议
AO6706-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N+N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于电源管理模块、移动设备充电管理等电子领域。 SOT23-6； N—Channel沟道, 20V； 6A； RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.4~1.5V
品牌
VBsemi
封装
TSOP-6
库存
50
货期
现货
AO6706-VB参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
AO6706-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N+N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于电源管理模块、移动设备充电管理等电子领域。 SOT23-6； N—Channel沟道, 20V； 6A； RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.4~1.5V
AO6706-VB特性
暂无产品特性。
AO6706-VB应用领域
暂无应用领域。