AO6402A(UMW)
IC
SOT-23-6
可供量大可议
AO6402A(UMW)
特性：使用先进沟槽技术， 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 VDS(V) = 30V。 ID = 7.5A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 24mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）
品牌
UMW
封装
SOT-23-6
库存
4,920
货期
现货
AO6402A(UMW)参数
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4920 |
AO6402A(UMW)概述
特性：使用先进沟槽技术， 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 VDS(V) = 30V。 ID = 7.5A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 24mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）
AO6402A(UMW)特性
暂无产品特性。
AO6402A(UMW)应用领域
暂无应用领域。