AO6401A
IC
SOT-23-6
可供量大可议
AO6401A
特性：使用先进沟槽技术， 提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并可在低至1.8V的栅极电压下工作。 VDS(V) = -30V。 ID = -5A(VGS = -10V)。 RDS(ON) < 47mΩ(VGS = -10V)。 RDS(ON) < 64mΩ(VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 85mΩ(VGS = -2.5V)
品牌
UMW
封装
SOT-23-6
库存
5,140
货期
现货
AO6401A参数
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5140 |
AO6401A概述
特性：使用先进沟槽技术， 提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并可在低至1.8V的栅极电压下工作。 VDS(V) = -30V。 ID = -5A(VGS = -10V)。 RDS(ON) < 47mΩ(VGS = -10V)。 RDS(ON) < 64mΩ(VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 85mΩ(VGS = -2.5V)
AO6401A特性
暂无产品特性。
AO6401A应用领域
暂无应用领域。