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AO4842-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

AO4842-HXY

该场效应管是一款N+N沟道器件, 设计用于高效电路控制。 其主要参数包括最大连续漏极电流8.5A, 能够承受高达30V的电压。 在典型工作条件下, 内阻仅为17mΩ, 确保了较低的功耗和较高的能效比。 此外, 该器件支持20V的栅源电压(VGS), 适用于需要快速开关操作且对功率损耗有严格要求的应用场合。 凭借这些特性, 它非常适合于各种精密电子设备中, 以实现紧凑、高效的电源管理解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

45

货期

现货

AO4842-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存45

AO4842-HXY概述

该场效应管是一款N+N沟道器件, 设计用于高效电路控制。 其主要参数包括最大连续漏极电流8.5A, 能够承受高达30V的电压。 在典型工作条件下, 内阻仅为17mΩ, 确保了较低的功耗和较高的能效比。 此外, 该器件支持20V的栅源电压(VGS), 适用于需要快速开关操作且对功率损耗有严格要求的应用场合。 凭借这些特性, 它非常适合于各种精密电子设备中, 以实现紧凑、高效的电源管理解决方案。

AO4842-HXY特性

暂无产品特性。

AO4842-HXY应用领域

暂无应用领域。

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