AO4800B-HXY

AO4800B 是一款高性能N+N沟道MOSFET， 采用SOP-8封装工艺， 专为高电流应用场合设计。 器件特色在于最大工作电压VDSS高达30V， 可承载8.5A连续漏极电流， 提供强大的电流处理能力； 其低至17mΩ的导通电阻RD(on)， 有效降低系统功耗， 大幅提升能效。 广泛应用在电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景， 是您实现高效、节能电子设计的理想MOS管器件。