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AO4800
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IC

SOIC-8

AO4800

场效应管(MOSFET) 2W 30V 6.9A 2个N沟道

品牌

AOS

封装

SOIC-8

交期

现货

批次

26+

AO4800参数

封装SOIC-8
品牌AOS
批次26+
数量2个N沟道
导通电阻(RDS(on))50mΩ@2.5V
阈值电压(Vgs(th))1.4V
输入电容(Ciss)858pF
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存34,780
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)2W
栅极电荷量(Qg)12nC@4.5V
反向传输电容(Crss)80pF
输出电容(Coss)110pF

AO4800概述

场效应管(MOSFET) 2W 30V 6.9A 2个N沟道

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