AO4616(UMW)
IC
SOP-8
可供量大可议
AO4616(UMW)
特性：使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 此互补N和P沟道MOSFET配置适用于低输入电压逆变器应用。 VDS(V) = 30V。 ID = 8A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 4.5V)。 VDS(V) = -30V。 ID = -7A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 22mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = -4.5V)
品牌
UMW
封装
SOP-8
库存
2,945
货期
现货
AO4616(UMW)参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2945 |
AO4616(UMW)概述
特性：使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 此互补N和P沟道MOSFET配置适用于低输入电压逆变器应用。 VDS(V) = 30V。 ID = 8A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 4.5V)。 VDS(V) = -30V。 ID = -7A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 22mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = -4.5V)
AO4616(UMW)特性
暂无产品特性。
AO4616(UMW)应用领域
暂无应用领域。