AO4468
自营可供
IC
SOIC-8
AO4468
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 10.5A 1个N沟道
品牌
AOS
封装
SOIC-8
交期
现货
批次
两年内
AO4468参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | AOS |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 888pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,872 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | AO4468 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000206 |
AO4468概述
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 10.5A 1个N沟道
AO4468特性
- 符合RoHS标准且无卤素
- 具备ESD保护
- 经过100% UIS测试
- 经过100% Rg测试
- 绿色环保产品
AO4468应用领域
- 负载开关
- 电池保护