AO4447A(UMW)
IC
SOP-8
可供量大可议
AO4447A(UMW)
特性：沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 ESD保护。 符合RoHS和无卤标准。 漏源电压VDS = -30V。 漏极电流ID = -18.5A（VGS = -10V）。 导通电阻RDS(ON) < 5.8mΩ（VGS = -10V）。 导通电阻RDS(ON) < 8.2mΩ（VGS = -4.5V）
品牌
UMW
封装
SOP-8
库存
5,545
货期
现货
AO4447A(UMW)参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5545 |
AO4447A(UMW)概述
特性：沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 ESD保护。 符合RoHS和无卤标准。 漏源电压VDS = -30V。 漏极电流ID = -18.5A（VGS = -10V）。 导通电阻RDS(ON) < 5.8mΩ（VGS = -10V）。 导通电阻RDS(ON) < 8.2mΩ（VGS = -4.5V）
AO4447A(UMW)特性
暂无产品特性。
AO4447A(UMW)应用领域
暂无应用领域。