AO4441(UMW)
IC
SOP-8
可供量大可议
AO4441(UMW)
特性：使用先进沟槽技术， 提供出色的导通电阻和超低栅极电荷。 VDS(V) = -60V。 ID = -4A（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 100mΩ（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 130mΩ（VGS = -4.5V）
品牌
UMW
封装
SOP-8
库存
4,360
货期
现货
AO4441(UMW)参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4360 |
AO4441(UMW)概述
特性：使用先进沟槽技术， 提供出色的导通电阻和超低栅极电荷。 VDS(V) = -60V。 ID = -4A（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 100mΩ（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 130mΩ（VGS = -4.5V）
AO4441(UMW)特性
暂无产品特性。
AO4441(UMW)应用领域
暂无应用领域。