AO4435A
IC
SOP-8
可供量大可议
AO4435A
特性：使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻、低栅极电荷， 并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS） = -30V。 漏极电流（ID） = -12A。 导通电阻（RDS(ON)） < 20mΩ（栅源电压VGS = 10V）
品牌
UMW
封装
SOP-8
库存
3,075
货期
现货
AO4435A参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3075 |
AO4435A概述
特性：使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻、低栅极电荷， 并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS） = -30V。 漏极电流（ID） = -12A。 导通电阻（RDS(ON)） < 20mΩ（栅源电压VGS = 10V）
AO4435A特性
暂无产品特性。
AO4435A应用领域
暂无应用领域。